PRUEBA DE FUNCIONAMIENTO

1N4001

Simbolo

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Altura 2.7mm

Ancho 2.7mm

Configuración Único

Conteo de Pines 2

Corriente Continua Máxima Directa 1A

Corriente Inversa de Pico 0.005mA

Dimensiones 2.7 x 5.2 x 2.7mm

Longitud 5.2mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima -50 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C

Tensión Directa de Pico 1.1V

Tensión Repetitiva Inversa de Pico 50V

Tipo de Encapsulado DO-204AL

Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante

Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico 0.045kA

Rectificadores de recuperación estándar de 1 A, Vishay Semiconductor

Los rectificadores estándar de Vishay están diseñados para uso general en aplicaciones de baja frecuencia, con tiempos de recuperación de aproximadamente 2 μs y tensiones inversas de hasta 4.000 V.

PRUEBA DE FUNCIONAMIENTO

Les mostrare mas que nado algunos vídeos de las pruebas de algunos componentes. (e de aclarar que probablemente no haya información escrita en algunos componentes pero dejare el link para que vean el procedimiento de las pruebas. Gracias por su comprensión)

1.-Prueba de funcionamiento de un Potenciómetro: https://www.youtube.com/watch?v=rATWYa3T03A

http://www.youtube.com/watch?v=oAuVf1coSjs 

2.-Prueba de funcionamiento del Rectificador: se puede comprobar con un multímetro de la siguiente manera: primero se coloca el cable rojo en el ánodo del diodo, y el cable negro en el cátodo y se le aplica corriente continua. Después se hace el procesos pero a la inversa el cable rojo en el cátodo y el negro en el ánodo y se le aplica corriente.

3.-Prueba de funcionamiento del NPN: la prueba se hace de la siguiente manera: con un multímetro lo primero que haremos es tocar la base con el cable rojo (positivo) y este deberá conducir a las 2 terminales del transistor.

4.-Prueba de funcionamiento del PNP: la comprobación la podemos hacer así: con un multímetro conectamos el cable negro (negativo) a la base del transistor y este debe conducir a las dos terminales del transistor. Y podemos ver que sería lo contrario a la prueba del NPN.

5.-Prueba de funcionamiento del Transformador:http://www.youtube.com/watch?v=4VfjyhDrM3A

6.-prueba de funcionamiento de la Resistencia:http://www.youtube.com/watch?v=Kgpiwvf4A-Q

7.-Prueba de funcionamiento del TRIAC:  se coloca con sus patas hacia abajo, de manera que puedas leer su código o número, luego con el multímetro colocado en un rango alto de Ohmios, (x 1000), coloca una punta de prueba en la parte metálica superior, con la otra punta tocas MT1 y el MT2, el multímetro no debe mostrar lectura alguna, aunque inviertas las puntas de prueba, luego colocas una de las puntas en el MT1 y tocas el MT2, el multímetro debe mostrar una lectura intermedia, si esa lectura fuera fondo de escala, (0 ohmios o casi) indicará cortocircuito entre la puerta y MT1.

8.-Prueba de funcionamiento del Mosfet: http://www.facebook.com/l.php?u=http%3A%2F%2Fwww.youtube.com%2Fwatch%3Fv%3DwwIRXd8zX04&h=6AQFDXmra

9.-Prueba de funcionamiento del Relevador: http://www.facebook.com/l.php?u=http%3A%2F%2Fwww.youtube.com%2Fwatch%3Fv%3DNmVD_pyBtaY&h=6AQFDXmra

10.-Prueba de funcionamiento del Zener: http://www.youtube.com/watch?v=fD9OihOXS5w



11.-Prueba de funcionamiento del SCR: https://www.youtube.com/watch?v=Lm4beERRKH4

Gracias por tu atención, espero y aya sido de su agrado.

2N2222

Simbolo


STYLE
PIN 1. COLLECTOR
        2. BASE
        3. EMITTER



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Altura 5.3mm
Ancho 5.8mm
Categoría Alimentación bipolar
Configuración Único
Conteo de Pines 3
Corriente DC Máxima del Colector 0,6 A
Dimensiones 5.3 x 5.8 x 5.8mm
Disipación de Potencia Máxima 0,5 W
Frecuencia Máxima de Funcionamiento 300 MHz
Ganancia Mínima de Corriente DC 35
Longitud 5.8mm
Número de Elementos por Chip 1
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Tensión Base Máxima del Colector 75 V
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor 2 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor 1 V
Tensión Máxima Colector-Emisor 40 V
Tensión Máxima Emisor-Base 6 V
Tipo de Encapsulado TO-18
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Transistor NPN

Como probar un transistor

Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente de éste, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la figura.

Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP están compuestos por diodos y se sigue la misma técnica que probar diodos comunes.

La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los métodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos.

Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del transistor" no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor.

Nota: Aunque este método es muy confiable (99% de los casos), hay casos en que, por las características del diodo o eltransistor, esto no se cumple. Para efectos prácticos se sugiere tomarlo como confiable en un 100%.

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conductores semiconductores y aislantes

conductores,semiconductores y aislantes.

Existen dos enfoques, basados en la teoría de bandas, que nos permiten entender los fenómenos de 

conductividad eléctrica y térmica en los materiales sólidos. Estos enfoques son capaces de explicar, por 

ejemplo, las diferencias tan enormes en las resistividades eléctricas de tales materiales. 

Uno de ellos es la teoría de F. Bloch (1928), la cual establece que los electrones de valencia en un 

metal se encuentran sujetos a un potencial no constante (periódico) y cuya periodicidad es impuesta por 

la estructura cristalina. El otro, la teoría de W. Heitler y F. London, considera los efectos sobre los 

niveles energéticos de átomos aislados, cuando dichos átomos se encuentran agrupados en un cristal 

(átomos inter-actuantes). Un tratamiento riguroso de la teoría de bandas, requiere de la aplicación de la 

mecánica cuántica, en cualquiera de los dos enfoques. El de Heitler y London, sin embargo, permite 

una explicación cualitativa más clara de los fenómenos involucrados en la teoría de bandas, por lo cual 

nos centraremos en esta teoría.

Los materiales pueden clasificarse, de acuerdo con su resistividad, en conductores, semiconductores

y aislantes.

Conductores.

Los conductores son materiales (generalmente metales), cuya estructura electrónica les permite 
conducir la corriente eléctrica a bajas temperaturas o temperatura ambiente; su resistividad al paso de 
la corriente eléctrica es muy baja. De acuerdo con la teoría de bandas, son aquellos materiales cuyas 
bandas de valencia y de conducción, se encuentran muy próximas entre si, al grado de que, en algunos 
casos, estas bandas se encuentran sobrepuestas. Los electrones de valencia en un átomo, son los que se 
encuentran en el nivel energético más externo y ellos permiten los enlaces entre los átomos en los 
compuestos o entre átomos del mismo tipo en una molécula o un cristal. Por su parte, los electrones de 
conducción son los que se han promovido a niveles energéticos vacíos, lo que da lugar a su mayor 
movilidad y, eventualmente, da origen a las corrientes eléctricas. Veamos lo que sucede, tanto con los 
electrones en estados energéticos de átomos aislados, como los que se encuentran en estados 
energéticos en un cristal (átomos inter-actuantes).

. Primero se ven los 
estados disponibles en un átomo aislado; luego, cuando tenemos N átomos aislados, los estados 
disponibles (o capacidad de los orbitales), por tanto, se ven multiplicadas por N (parte central del 
esquema), pero los niveles energéticos permanecen básicamente idénticos. Cuando los N átomos se 
encuentran muy cercanos entre sí, como en el caso de una red cristalina en un sólido, la capacidad 
electrónica no solo se ve multiplicada por N, sino que los estados disponibles no son más coincidentes 
con los estados energéticos de los N átomos aislados, pues se expanden para formar bandas de energía 
(parte final del esquema). Las regiones entre las bandas energéticas disponibles son zonas que no 
pueden ser ocupadas por los electrones (bandas prohibidas o barreras energéticas). Desde luego, en el 
átomo de litio, el orbital 1s se encuentra ocupado por 2 electrones, el 2s está parcialmente ocupado (1 
electrón) y los 2p se hallan vacíos. Por tanto, en el Li, la banda 2s constituye la banda de valencia; la 
banda 2p es la banda de conducción. En general, en los metales conductores, la banda de valencia y la 
banda de conducción se encuentra prácticamente juntas. La conductividad en algunos metales, como el 
sodio, constituye un caso muy especial, pues la banda de valencia (parcialmente llena), se encuentra 
sobrepuesta con la banda adyacente vacía, lo que hace al sodio un metal altamente conductor

Aislantes.

Los aislantes son materiales con una resistencia tan alta, que no es posible la conducción eléctrica a 
través de ellos. Un caso extremo, de este tipo de materiales, es el diamante
En el diamante, material aislante, existe una 
barrera de energía muy alta entre un orbital 2p 
lleno y los restantes vacios.3
En el diamante, debido a su particular estructura cristalina, existe una barrera de energía de 6 eV 
entre la banda de energía más baja 2p (llena con 2N electrones) y los restantes estados disponibles 2p
(4N estados posibles), por lo cual no se puede promover electrones de la banda de valencia hacia la 
banda de conducción. Para este aislante no es posible ganar energía por absorción de fotones (con 
energías menores a 6 eV). Por el contrario, en los materiales conductores, los electrones de valencia 
pueden ser promovidos fácilmente hacia la banda de conducción por incidencia fotónica (también por 
temperatura), ya que hay un continuo de estados disponibles inmediatamente arriba de la banda de 
valencia. Por esta razón, los materiales conductores son opacos a la luz visible; el diamante es, en 
especial, totalmente transparente a la luz visible. 

Semiconductores.

Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace a su resistencia, entre los conductores 
y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas difícilmente conducen la corriente eléctrica y más bien 
se comportan como aislantes pero, al elevar su temperatura o al ser sometidos a un campo eléctrico 
externo, su comportamiento cambia al de los conductores. Estos semiconductores son conocidos como 
intrínsecos y, en ellos, las bandas de conducción y valencia se encuentran separadas por una barrera de 
energía (banda prohibida) más pequeña (comparada con la del diamante), de aproximadamente 1 eV
(1.1 eV para el Si y 0.7 eV para el Ge).
Bandas prohibidas para materiales 
semiconductores (Si y Ge).
En este tipo de materiales, cuando se transfiere un electrón de la banda de valencia a la banda de 
conducción, se crea un “hueco” que actúa como un "transportador" de carga positiva, fenómeno que 
eventualmente puede crear una “corriente positiva”.

 LOS AISLANTES EN SUS ELECTRONES DE VALENCIA:

      

Los aisladores eléctricos están compuestos de sustancias con electrones, o partículas de energía que están comprimidos en conjunto mediante un proceso químico. Es casi imposible conseguir el voltaje eléctrico para pasar atravez de estos materiales. El vidrio se utiliza como aislante eléctrico antes. De vidrio, junto con otros materiales no metálicos tales como la porcelana, mica y de cerámica pueden soportar el mas alto voltaje de la corriente eléctrica. La Goma junto con los plásticos, tiene un umbral inferior de tensión de los vidrios y porcelana, debido a su composición de electrones sueltos. También hay aisladores compuestos que se derivan de una mezcla de diversos materiales.

CARACTERÍSTICAS DE LOS CONDUCTORES EN SUS ELECTRONES DE VALENCIA:

     Los conductores son todos aquellos que poseen menos de 4 electrones en su última capa de valencia. Los elementos capaces de conducir la electricidad cuando son sometidos a una diferencia de potencial eléctrico mas comunes son los metálicos, siendo el cobre el mas usado de entre todos ellos, otro metal mas utilizado es el aluminio y en aplicaciones especiales, debido a su baja resistividad y dureza a la corrosión, se usa el oro.

CARACTERÍSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES EN SUS ELECTRONES DE VALENCIA:

     El elemento semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y VI respectivamente. De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica.